Dysk półprzewodnikowy Innodisk M.2 (S80) 3TE7 SATA III wykorzystuje najnowszy kontroler SATA III NAND z wyjątkową architekturą L³ FW firmy Innodisk, która łączy potężną technologię LDPC w charakterystycznej dla Innodisk architekturze L² FW z mapowaniem 4K. 3TE7 charakteryzuje się wyjątkowo wysokim IOPS, lepszą integralnością danych i wydłużoną żywotnością dzięki zastosowaniu ochrony Die-Raid. Wbudowany czujnik termiczny oraz iData Guard zapewniają również integralność danych i niezawodność 3TE7. Innodisk M.2 (S42) 3TE7 jest przeznaczony do zastosowań przemysłowych i obsługuje kilka zaawansowanych funkcji, takich jak TRIM, NCQ i S.M.A.R.T. Ponadto, oprogramowanie firmowe Innodisk Innodisk oferuje elastyczne usługi dostosowywania oprogramowania sprzętowego do potrzeb przemysłu, dzięki czemu 3TE7 jest doskonałym rozwiązaniem dla różnych zastosowań przemysłowych.

Cechy charakterystyczne:

• interfejs M.2 SATA III do zastosowań przemysłowych
• architektura L3
• brak DRAM, 100% integralności danych
• doskonała wydajność losowa
• obsługa TRIM/NCQ/SMART
• wbudowana funkcja iData Guard
• kompatybilność z normą M.2 2280-D2-B-M
• zaprojektowany z wykorzystaniem sprzętowego silnika LDPC ECC

Specyfikacja:

• interfejs: SATA III
• typ pamięci flash: 3D TLC
• pojemność: 128GB
• ilość cykli zapis/odczyt: 3000
• ilość kanałów: 4
• prędkość zapis/odczyt: 520/560 Mb/s
• maksymalny pobór mocy: 1.8W
• czujnik termiczny
• ATA security
• S.M.A.R.T.
• wymiary: 22x80x3.5mm
• odporność na wibracje: 20G@7~2000Hz
• odporność na wstrząsy: 1500G@0.5s
• temperatura pracy: 0°C ~ +70°C
• temperatura przechowywania: -55°C ~ +95°C
• MTBF: 3 miliony godzin
• gwarancja do 3000 cykli zapis/odczyt na komórkę pamięci; maksymalnie 2 lata