JM Logo

Tranzystory unipolarne

DMN65D8L-7
Symbol producenta:
Producent: Diodes Incorporated

Tranzystor N-MOSFET 60V 310mA 0,37W 3R@115mA
Typ kanałuN
Napięcie Uds60
Prąd Id0.21
Moc0.54
Rezystancja Kanału4
ObudowaTO236-3
W opakowaniu:
1 szt.

Minimalna ilość:
100 szt.

Minimalna partia:
1 szt.

Stan magazynowy:
Dostępny

Specyfikacja:

  • typ: N-MOSFET
  • polaryzacja: unipolarny
  • napięcie dren-źródło: 60V
  • napięcie bramka-źródło: ±20V
  • rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω
  • prąd drenu: 0,21A
  • moc rozpraszana: 0,54W
  • obudowa: SOT23
  • montaż: SMT
  • temperatura pracy: -55°C ~ 150°C

Karty katalogowe

Brak produktów podobnych

Brak produktów powiązanych

article-image
Zoptymalizuj koszty izolacji galwanicznej z przetwornicami Aimtec
article-image
Odmierzaj czas z „zero-prądowymi” RTC od Micro Crystal
Ozdobna grafika stopki
System B2B by

Używamy informacji zapisanych za pomocą cookies i podobnych technologii m.in. w celach statystycznych oraz w celu dostosowania naszego sklepu do indywidualnych potrzeb klientów. W programie służącym do obsługi internetu można zmienić ustawienia dotyczące cookies. Korzystanie z naszego sklepu internetowego bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że bedą one zapisane w pamięci urządzenia. Więcej informacji można znaleźć w naszej polityce prywatności