Cechy procesora

• napięcie robocze:
  • fSYS =8MHz: 1.8V~5.5V
  • fSYS =12MHz: 2.7V~5.5V
  • fSYS =16MHz: 3.3V~5.5V
• cykl wykonywania instrukcji do 0,25 μs z zegarem systemowym 16 MHz przy VDD = 5 V
• funkcje wyłączania i wybudzania w celu zmniejszenia zużycia energii
• typy oscylatorów
  • zewnętrzny szybki kwarc - HXT
  • wewnętrzny szybki RC 8/12/16MHz - HIRC
  • zewnętrzny kwarc o niskiej prędkości 32,768 kHz - LXT
  • wewnętrzny RC o niskiej prędkości 32kHz - LIRC
• praca w wielu trybach: FAST, SLOW, IDLE i SLEEP
• w pełni zintegrowane wewnętrzne oscylatory nie wymagają zewnętrznych komponentów
• wszystkie instrukcje wykonywane w 1~3 cyklach instrukcji
• instrukcje odczytu tabeli
• 115 zaawansowanych instrukcji
• 12-poziomowe zagnieżdżanie podprogramów
• instrukcja manipulacji bitami

Cechy urządzeń peryferyjnych

• pamięć programu flash: 16K×16
• pamięć danych RAM: 1K×8
• EEPROM: 1K×8
• funkcja watchdog timer
• programowanie w aplikacji - IAP
• 21 dwukierunkowych linii I/O
• dwie zewnętrzne linie przerwań współdzielone z pinami I/O
• programowalny prąd źródła portu I/O dla aplikacji LED
• wiele modułów czasowych do odmierzania czasu, porównywania wyjścia, funkcji wyjścia PWM lub funkcji wyjścia pojedynczego impulsu
• moduł interfejsu szeregowego - SIM dla komunikacji SPI lub I²C
• w pełni dupleksowe / półdupleksowe asynchroniczne interfejsy odbiornika i nadajnika - UART
• 8-kanałowy zewnętrzny przetwornik analogowo-cyfrowy o rozdzielczości 12 bitów z programowalnym wewnętrznym napięciem odniesienia VVR
• funkcja pojedynczego komparatora
• funkcje podwójnej podstawy czasu do generowania sygnałów przerwań o stałym czasie
• funkcja resetowania niskiego napięcia
• funkcja wykrywania niskiego napięcia
• typ obudowy: 48-pinowy LQFP-EP

Funkcje monitorowania napięcia poszczególnych ogniw

• zintegrowany regulator napięcia z 5V/50mA i dokładnością ±1%
• indywidualny monitor napięcia ogniwa wysyła 1/2 napięcia ogniwa akumulatora, gdy wyjście analogowe wynosi 2,1 V, ma dokładność ±7,5 mV
• w Ta=-40°C~85°C, wyjście napięcia referencyjnego 2.5V z maksymalnym odchyleniem 15mV w dryfcie temperaturowym
• wewnętrzne przełączniki balansu ładowania ogniw
• dwa sterowniki bramek rozładowujących MOSFET typu N
• sterownik bramki MOSFET typu N z pojedynczym ładowaniem
• różnicowy monitor prądu ładowania/rozładowania OPA
• Wyjścia pinów IMON wzmacniają napięcie różnicowe ISP-ISN
• wybór szybkości wzmacniania napięcia: 10/50
• wykrywanie krótkiego prądu rozładowania
• wybór napięcia progowego detekcji: 50mV/100mV/150mV/200mV/250mV/300mV/350mV/400mV
• wybór czasu odbicia detekcji: 0μs~992μs, 32 sekcje, 32μs na sekcję
• wybór zintegrowanego zabezpieczenia przed przegrzaniem: 85°C/100°C/125°C/150°C
• tryb uśpienia z bardzo niskim prądem czuwania 0,1μA
• dwie wysokonapięciowe funkcje wybudzania