Innodisk CFexpress 3TE6 wykorzystuje format CFexpress wersja 2.0 typ B Dzięki interfejsowi PCIe i pamięci TLC NAND Flash, CFexpress 3TE6 obsługuje PCIe Gen III x2 i jest zgodna z NVM 1.3, zapewniając doskonałą wydajność i trwałość. Ponadto zastosowano w nim pamięć TLC NAND Flash, która zapewnia wysoką wytrzymałość i niezawodność. Dzięki zaawansowanym funkcjom wykrywania i korekcji błędów (ECC), moduł może zapewnić pełną ochronę ścieżki danych end-to-end, która zabezpiecza transmisję danych między systemem hosta a pamięcią NAND Flash. Innodisk CFexpress 3TE6 to niewielka, wyjmowana karta pamięci zapewniająca niskie opóźnienia i ekstremalną prędkość przy jednoczesnym niskim zużyciu energii. Jest idealna do gier, obliczeń i profesjonalnego nagrywania cyfrowego.

Cechy:

• PCIe Gen. III x2, NVMe 1.3
• doskonała prędkość transmisji danych 
• format CFexpress typ B
• brak zakłóceń mechanicznych
• obsługa mechanizmu LDPC ECC
• ochrona ścieżki danych od końca do końca
• funkcja ochrony przed zapisem

Specyfikacja:

• interfejs: PCIe Gen. III x2
• technologia: 3D TLC
• Cykl P/E: 3,000
• pojemność: 1TB
• maks. ilość kanałów: 4
• prędkość zapis/odczyt (MB/s, maks.): 1450/1600, 500MB/s dla ciągłego zapisu sekwencyjnego
• maksymalny pobór mocy (rms): 3,3W (3,3Vx1000mA)
• czujnik termiczny 
• opcjonalna ochrona przed zapisem H/W
• wymiary (WxLxH): 29,6 X 38,5 X 3,8 mm
• oporność na wibracje: 20G @7~2000Hz
• odporność na wstrząsy: 1500G @ 0.5ms
• temperatura przechowywania: -55°C ~ +95°C
• temperatura pracy: 0°C ~ +70°C
• MTBF: 3,000,000h
• gwarancja do 3 000 cykli zapis/odczyt na komórkę pamięci; maksymalnie 2 lata

ARTYKUŁ: Nowa generacja dysków SSD od Innodisk w technologii 112 warstwowej – wyższa pojemność i wydajność, niezawodność i 3000 cykli zapisu/odczytu na komórkę pamięci

ARTYKUŁ: Innowacyjne rozwiązania technologiczne prezentowane przez Innodisk na targach Embedded World - Pełna relacja wideo ze stoiska

ARTYKUŁ: Pamięci RAM i dyski SSD drożeją, a zapotrzebowanie rośnie – sprawdź propozycje Innodisk